在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | 1222 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | 462 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | 10 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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规格参数 | |
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最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 10 V |
电源电压-最大 | 20 V |
输出电流 | 0.29 A |
类型 | Half-Bridge |
下降时间 | 35 ns |
配置 | High Side, Low Side |
上升时间 | 100 ns |
产品 | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
安装风格 | SMD/SMT |
包装 | Reel, Cut Tape |
生命周期 | Active |
接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDIGBT/MOSFETDRIVER |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 2 |
端子面层 | TIN |
包装说明 | , |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
栅极驱动器类型 | - |
芯片安装 | 表面安装 |
合规 | - |
输入类型 | 非反向 |
电源开关类型 | IGBT, MOSFET |
驱动器封装类型 | SOIC |
驱动配置 | 半桥 |
IC 外壳 / 封装 | SOIC |
产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.094211 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3786 | 11.010713 |
BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.095540 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.460000 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 548 | 41.698552 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.631584 |