在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDL05I06PJXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | DRIVER IC | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +105°C |
| Supply Voltage-Max | 20V |
| Quiescent Current | 0.3mA |
| Configuration | Half Bridge |
| Rise Time | 48ns |
| No of Outputs | Dual |
| Turn-on Delay Time | 420ns |
| Turn-off Delay Time | 400ns |
| Fall Time | 24ns |
| Peak Output Current | .5A |
| Rated Power Dissipation | 0.85W |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600V |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-14 |
| 封装/外壳 | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 上升/下降时间（典型值） | 48ns，24ns |
| 通道类型 | 独立式 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道，P 沟道 MOSFET |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 1.1V，1.7V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 250mA，500mA |
| 零件状态 | 有源 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 电压 - 电源 | 10V ~ 20V |
| 输入类型 | 非反相 |
| 系列 | EiceDriver™ |
| 在线目录 | Half Bridge |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 15V |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDIGBT/MOSFETDRIVER |
| 高边驱动器 | YES |
| 电源 | 15V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 95°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 包装说明 | SOP,SOP14,.25 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 输出延迟 | 400ns |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 工作温度最高值 | 95°C |
| 针脚数 | 14Pins |
| 输入延迟 | 420ns |
| 拉电流 | 250mA |
| 灌电流 | 500mA |
| 电源电压最大值 | 17.5V |
| 电源电压最小值 | 13V |
| 通道数 | 2放大器 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| ULN2003G-S16-R | UTC | 36532 | 0.456330 |
| CH455G | WCH | 16106 | 0.484620 |
| ULN2003G-P16-R | UTC | 15500 | 0.527670 |
| IR2104STRPBF | INFINEON | 7505 | 2.360000 |
| TB6560AHQ(O,8) | TOSHIBA | 5800 | 13.860000 |
| 74LVC2G241GF115 | NEXPERIA | 4750 | 1.978697 |
| IR2110STRPBF | INFINEON | 3000 | 4.130000 |
| IR2103STRPBF | INFINEON | 2500 | 1.829000 |
| ULN2004A | STMICROELECTRONICS | 150 | 4.197645 |
| ULN2803A | STMICROELECTRONICS | 40 | 23.960134 |
