在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDL05N06PJ | INFINEON/英飞凌 | 0 | 0 | 中国内地:8-14工作日 |
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| 2EDL05N06PJXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | DRIVER IC | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 15V |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDIGBT/MOSFETDRIVER |
| 内置保护 | TRANSIENT;UNDERVOLTAGE |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SOURCEANDSINK |
| 最大供电电压 | 20V |
| 最小供电电压 | 10V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 105°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | Tin(Sn) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 8.65mm |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 包装说明 | , |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| ULN2003G-S16-R | UTC | 36532 | 0.456330 |
| CH455G | WCH | 16106 | 0.484620 |
| ULN2003G-P16-R | UTC | 15500 | 0.527670 |
| IR2104STRPBF | INFINEON | 7505 | 2.360000 |
| TB6560AHQ(O,8) | TOSHIBA | 5800 | 13.860000 |
| 74LVC2G241GF115 | NEXPERIA | 4750 | 1.978697 |
| IR2110STRPBF | INFINEON | 3000 | 4.130000 |
| IR2103STRPBF | INFINEON | 2500 | 1.829000 |
| ULN2004A | STMICROELECTRONICS | 150 | 4.197645 |
| ULN2803A | STMICROELECTRONICS | 40 | 23.960134 |