在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDN7424F | INFINEON/英飞凌 | 880 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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| 2EDN7424FXTMA1 | INFINEON/英飞凌 | 2EDN7424 - Gate Driver | 0 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| 接口集成电路类型 | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子面层 | Nickel/Gold/Palladium(Ni/Au/Pd) |
| 包装说明 | , |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| ULN2003G-S16-R | UTC | 36532 | 0.456330 |
| CH455G | WCH | 16106 | 0.484620 |
| ULN2003G-P16-R | UTC | 15500 | 0.527670 |
| IR2104STRPBF | INFINEON | 7505 | 2.360000 |
| TB6560AHQ(O,8) | TOSHIBA | 5800 | 13.860000 |
| 74LVC2G241GF115 | NEXPERIA | 4750 | 1.978697 |
| IR2110STRPBF | INFINEON | 3000 | 4.130000 |
| IR2103STRPBF | INFINEON | 2500 | 1.829000 |
| ULN2004A | STMICROELECTRONICS | 150 | 4.197645 |
| ULN2803A | STMICROELECTRONICS | 40 | 23.960134 |