在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDN7424FXTMA1 | INFINEON/英飞凌 | 2EDN7424 - Gate Driver | 0 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8-60 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 上升/下降时间(典型值) | 6.4ns,5.4ns |
| 通道类型 | 独立式 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 驱动配置 | 低端 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.3V |
| 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A |
| 零件状态 | 有源 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 20V |
| 输入类型 | 非反相 |
| 系列 | EiceDriver™ |
| 在线目录 | Low-Side |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷(TR) |
| 包装 | 剪切带(CT) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电压-最大 | 20 V |
| 输出电流 | 4 A |
| 类型 | Low Side |
| 下降时间 | 5.4 ns |
| 上升时间 | 6.4 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 12V |
| Turn-off Time | 25ns |
| Turn-on Time | 25ns |
| Interface IC Type | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
| High Side Driver | NO |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max | 20V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | NICKELGOLDPALLADIUM |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 4.93mm |
| Seated Height-Max | 1.73mm |
| Width | 3.94mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| 标称供电电压 | 12V |
| 断开时间 | 25ns |
| 接通时间 | 25ns |
| 接口集成电路类型 | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
| 高边驱动器 | NO |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 20V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | NICKELGOLDPALLADIUM |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 4.93mm |
| 座面最大高度 | 1.73mm |
| 宽度 | 3.94mm |
| 包装说明 | SOP, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 栅极驱动器类型 | 非隔离 |
| 芯片安装 | 表面安装 |
| 合规 | - |
| 电源开关类型 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET |
| 产品范围 | - |
| IC 外壳 / 封装 | SOIC |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 驱动器封装类型 | SOIC |
| 灌电流 | 4A |
| 针脚数 | 8Pins |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| 通道数 | 2Channels |
| 电源电压最大值 | 20V |
| 输出延迟 | 19ns |
| 电源电压最小值 | 4.5V |
| 输入延迟 | 19ns |
| 拉电流 | 4A |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| ULN2003G-S16-R | UTC | 36532 | 0.456330 |
| CH455G | WCH | 16106 | 0.484620 |
| ULN2003G-P16-R | UTC | 15500 | 0.527670 |
| IR2104STRPBF | INFINEON | 7505 | 2.360000 |
| TB6560AHQ(O,8) | TOSHIBA | 5800 | 13.860000 |
| 74LVC2G241GF115 | NEXPERIA | 4750 | 1.978697 |
| IR2110STRPBF | INFINEON | 3000 | 4.130000 |
| IR2103STRPBF | INFINEON | 2500 | 1.829000 |
| ULN2004A | STMICROELECTRONICS | 150 | 4.197645 |
| ULN2803A | STMICROELECTRONICS | 40 | 23.960134 |