在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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2EDN7424FXTMA1 | INFINEON/英飞凌 | 2EDN7424 - Gate Driver | 1215 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | PG-DSO-8-60 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
上升/下降时间(典型值) | 6.4ns,5.4ns |
通道类型 | 独立式 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
驱动配置 | 低端 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A |
零件状态 | 有源 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
电压 - 电源 | 4.5V ~ 20V |
输入类型 | 非反相 |
系列 | EiceDriver™ |
在线目录 | Low-Side |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 4.5 V |
电源电压-最大 | 20 V |
输出电流 | 4 A |
类型 | Low Side |
下降时间 | 5.4 ns |
上升时间 | 6.4 ns |
产品 | MOSFET Gate Drivers |
包装 | Reel, Cut Tape |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom | 12V |
Turn-off Time | 25ns |
Turn-on Time | 25ns |
Interface IC Type | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
High Side Driver | NO |
Number of Functions | 1 |
Supply Voltage-Max | 20V |
Supply Voltage-Min | 4.5V |
Surface Mount | YES |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Terminals | 8 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | SOP |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALLOUTLINE |
Terminal Finish | NICKELGOLDPALLADIUM |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 1.27mm |
Terminal Position | DUAL |
Length | 4.93mm |
Seated Height-Max | 1.73mm |
Width | 3.94mm |
Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
Package Description | SOP, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Samacsys Manufacturer | Infineon |
标称供电电压 | 12V |
断开时间 | 25ns |
接通时间 | 25ns |
接口集成电路类型 | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
高边驱动器 | NO |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 | 20V |
最小供电电压 | 4.5V |
表面贴装 | YES |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
湿度敏感等级 | 1 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | NICKELGOLDPALLADIUM |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 4.93mm |
座面最大高度 | 1.73mm |
宽度 | 3.94mm |
包装说明 | SOP, |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
栅极驱动器类型 | 非隔离 |
芯片安装 | 表面安装 |
合规 | - |
电源开关类型 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET |
产品范围 | - |
IC 外壳 / 封装 | SOIC |
MSL | MSL 1 -无限制 |
驱动器封装类型 | SOIC |
灌电流 | 4A |
针脚数 | 8Pins |
工作温度最小值 | -40°C |
工作温度最高值 | 150°C |
通道数 | 2Channels |
电源电压最大值 | 20V |
输出延迟 | 19ns |
电源电压最小值 | 4.5V |
输入延迟 | 19ns |
拉电流 | 4A |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.094211 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3786 | 11.010713 |
BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.095540 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.460000 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 548 | 41.698552 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.631584 |