在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDN7524R | INFINEON/英飞凌 | 195000 | 5000 | 中国内地：6-10工作日 中国香港：6-10工作日 |
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| 2EDN7524RXTMA1 | INFINEON/英飞凌 | 2477 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 2EDN7524RXTMA1 | INFINEON/英飞凌 | 1172 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 12V |
| Input Characteristics | STANDARD |
| Output Characteristics | PUSH-PULL |
| Output Peak Current Limit-Nom | 5A |
| Turn-off Time | 23ns |
| Turn-on Time | 23ns |
| Interface IC Type | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
| Built-in Protections | UNDERVOLTAGE |
| High Side Driver | NO |
| Number of Functions | 2 |
| Output Current Flow Direction | SOURCEANDSINK |
| Output Polarity | TRUE |
| Supply Voltage-Max | 20V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | S-PDSO-G8 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HTSSOP |
| Package Equivalence Code | TSSOP8,.19 |
| Package Shape | SQUARE |
| Terminal Finish | NICKELGOLDPALLADIUMSILVER |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 3mm |
| Seated Height-Max | 1.04mm |
| Width | 3mm |
| Source Content uid | 2EDN7524R |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | HTSSOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 12V |
| 输入特性 | STANDARD |
| 输出特性 | PUSH-PULL |
| 标称输出峰值电流 | 5A |
| 断开时间 | 23ns |
| 接通时间 | 23ns |
| 接口集成电路类型 | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
| 内置保护 | UNDERVOLTAGE |
| 高边驱动器 | NO |
| 功能数量 | 2 |
| 输出电流流向 | SOURCEANDSINK |
| 输出极性 | TRUE |
| 最大供电电压 | 20V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HTSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.19 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 端子面层 | NICKELGOLDPALLADIUMSILVER |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 1.04mm |
| 宽度 | 3mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 包装说明 | HTSSOP, |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.094211 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3786 | 11.010713 |
| BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.095540 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.460000 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 548 | 41.698552 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.631584 |
