在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDS8265HXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | DRIVER IC | 0 | 1 | 中国内地：3-5工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 3.3V |
| Supply Voltage1-Nom | 12V |
| Turn-off Time | 44ns |
| Turn-on Time | 44ns |
| Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
| High Side Driver | YES |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max | 3.5V |
| Supply Voltage-Min | 3V |
| Supply Voltage1-Max | 20V |
| Supply Voltage1-Min | 4.5V |
| Surface Mount | YES |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 10.3mm |
| Seated Height-Max | 2.65mm |
| Width | 7.5mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| 电源电压1-Nom | 12V |
| 断开时间 | 44ns |
| 接通时间 | 44ns |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
| 高边驱动器 | YES |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 3.5V |
| 最小供电电压 | 3V |
| 电源电压1-最大 | 20V |
| 电源电压1-分钟 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 10.3mm |
| 座面最大高度 | 2.65mm |
| 宽度 | 7.5mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 包装说明 | SOP, |
| 栅极驱动器类型 | 隔离式 |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 输入类型 | 非反向 |
| 芯片安装 | 表面安装 |
| 合规 | - |
| 驱动器封装类型 | WSOIC |
| 灌电流 | 8A |
| 通道数 | 2Channels |
| 工作温度最高值 | 85°C |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 针脚数 | 16Pins |
| 电源电压最大值 | 20V |
| IC 外壳 / 封装 | WSOIC |
| 电源电压最小值 | 3V |
| 输入延迟 | 37ns |
| 输出延迟 | 37ns |
| 电源开关类型 | MOSFET |
| 拉电流 | 4A |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 产品范围 | EiceDRIVER 2EDi |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.094211 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3786 | 11.010713 |
| BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.095540 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.460000 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 548 | 41.698552 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.631584 |
