在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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2N3904TF | ONSEMI/安森美 | NPN 40V 200mA | 26850 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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2N3904TFR | ONSEMI/安森美 | 9975 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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2N3904TF | ONSEMI/安森美 | NPN 40V 200mA | 9000 | 2000 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Transferred |
集电极-发射极最大电压 | 40V |
最大集电极电流 (IC) | 200mA |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | NO |
配置 | SINGLE |
端子数量 | 3 |
元件数量 | 1 |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
标称过渡频率 (fT) | 300MHz |
最大功率耗散 (Abs) | 350mW |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 250ns |
最大开启时间(吨) | 70ns |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 150°C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL,O-PBCY-T3 |
针数 | 3 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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206807-0321 | MOLEX | 4884000 | 0.463190 |
53015-0510 | MOLEX | 78105 | 1.044828 |
39-28-8060 | MOLEX | 10187 | 4.674984 |
75586-0010 | MOLEX | 8800 | 56.629051 |
73403-5072 | MOLEX | 4435 | 16.857746 |
39-28-1103 | MOLEX | 2384 | 2.772420 |
74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.557844 |
43879-0027 | MOLEX | 93 | 56.011601 |
70246-1001 | MOLEX | 8 | 10.371200 |
39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |