在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Not Recommended |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Surface Mount | YES |
| Configuration | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
| Number of Terminals | 2 |
| DS Breakdown Voltage-Min | 500V |
| Number of Elements | 1 |
| Drain Current-Max (ID) | 1.5A |
| Drain-source On Resistance-Max | 6Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
| Operating Mode | ENHANCEMENTMODE |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 6A |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Case Connection | DRAIN |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Source Content uid | 2SK1152STR-E |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Part Package Code | DPAK(S) |
| Package Description | SMALLOUTLINE,R-PSSO-G2 |
| Pin Count | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| Manufacturer Package Code | PRSS0004ZD |
| 生命周期 | NotRecommended |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 配置 | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
| 端子数量 | 2 |
| 最小漏源击穿电压 | 500V |
| 元件数量 | 1 |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.5A |
| 最大漏源导通电阻 | 6Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENTMODE |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6A |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 包装说明 | SMALLOUTLINE,R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 零件包装代码 | DPAK(S) |
| 制造商包装代码 | PRSS0004ZD |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 15.365133 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
