在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2U3838K33QDBVRG4Q1 | TI/德州仪器 | TPS3838-Q1 Nanopower Supervisory Circuits for Automotive | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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| 2U3838K33QDBVRG4Q1 | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23-5 | 0 | 3000 | 中国内地:8-12工作日 |
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| 规格参数 | |
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| 规格参数正在更新中... |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SY8089AAAC | SILERGY | 43126 | 0.555960 |
| TL494G-S16-R | UTC | 41942 | 0.599010 |
| LD1117AG-33-TN3-A-R | UTC | 40679 | 0.467400 |
| SY8113BADC | SILERGY | 37666 | 0.763720 |
| SY8120B1ABC | SILERGY | 24294 | 0.612540 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES | 16515 | 0.285360 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 16027 | 0.298890 |
| TL431G-AB3-R | UTC | 8646 | 0.277980 |
| MP1584EN-LF-Z | MPS | 3086 | 1.847880 |
| L78L05ABD13TR | ST | 810 | 0.340710 |