在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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34LC02T-E/ST | MICROCHIP/微芯 | 34LC02T E/ST | 0 | 1000 | 中国内地:8-12工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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Part Life Cycle Code | Active |
Memory Density | 2.048kbit |
Memory Width | 8 |
Organization | 256X8 |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.5V |
Power Supplies | 2.5/5V |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 1MHz |
Memory IC Type | EEPROM |
Data Retention Time-Min | 200 |
Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
I2C Control Byte | 1010DDDR |
Number of Functions | 1 |
Number of Ports | 1 |
Number of Words Code | 256 |
Number of Words | 256words |
Operating Mode | SYNCHRONOUS |
Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
Parallel/Serial | SERIAL |
Programming Voltage | 2.5V |
Serial Bus Type | I2C |
Standby Current-Max | 5µA |
Supply Current-Max | 3µA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.2V |
Technology | CMOS |
Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
Write Protection | HARDWARE/SOFTWARE |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Operating Temperature-Max | 125°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Screening Level | AEC-Q100 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Terminals | 8 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSSOP |
Package Equivalence Code | TSSOP8,.25 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MatteTin(Sn)-annealed |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 650µm |
Terminal Position | DUAL |
Seated Height-Max | 1.2mm |
Length | 4.4mm |
Width | 3mm |
Source Content uid | 34LC02T-E/ST |
Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
Package Description | 4.40MM,ROHSCOMPLIANT,PLASTIC,TSOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.32.00.51 |
Part Package Code | TSOP |
Pin Count | 8 |
生命周期 | Active |
内存密度 | 2.048kbit |
内存宽度 | 8 |
组织 | 256X8 |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5V |
电源 | 2.5/5V |
最大时钟频率 (fCLK) | 1MHz |
内存集成电路类型 | EEPROM |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
字数代码 | 256 |
字数 | 256words |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
并行/串行 | SERIAL |
编程电压 | 2.5V |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 5µA |
最大压摆率 | 3µA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.2V |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
最长写入周期时间 (tWC) | 5ms |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
筛选级别 | AEC-Q100 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MatteTin(Sn)-annealed |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 1.2mm |
长度 | 4.4mm |
宽度 | 3mm |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | 4.40MM,ROHSCOMPLIANT,PLASTIC,TSOP-8 |
针数 | 8 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |