在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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34R3430R-4CV | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | Verical,86086240 | 40495 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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34R3430R-4CVR | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | 2500 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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34R3430R-4CV | TI/德州仪器 | 34R3430R - 4CH, +5V 3-TERMINAL R/W. Analog Computer Storage | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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规格参数正在更新中... |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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M24C64-FMN6TP | STMICROELECTRONICS | 7500 | 2.226354 |
DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 6300 | 1.686220 |
DF3-7S-2C | HRS | 5000 | 0.230720 |
SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.216000 |
DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.858000 |
DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.475200 |
DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 900 | 2.454400 |
DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 600 | 3.912880 |
DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.556520 |
DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.532820 |