超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 47C04-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 4k, 5.0V EERAM IND | 0 | 100 | 中国内地：11-17工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 存储容量 | 4Kb （512 x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 1ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | 47C04 |
| 访问时间 | 400ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM，SRAM |
| 在线目录 | 47L04, 47C04 and 47C16 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 1MHz |
| 存储器格式 | EERAM |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 4.096kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 512X8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Access Time-Max | 400ns |
| Memory IC Type | MEMORYCIRCUIT |
| Mixed Memory Type | EEPROM+SRAM |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 512 |
| Number of Words | 512words |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSSOP |
| Package Equivalence Code | TSSOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Length | 4.4mm |
| Width | 3mm |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Package Description | TSSOP-8 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
| Source Content uid | 47C04-I/ST |
| Date Of Intro | 2016-10-10 |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 4.096kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 512X8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最长访问时间 | 400ns |
| 内存集成电路类型 | MEMORYCIRCUIT |
| 混合内存类型 | EEPROM+SRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 512 |
| 字数 | 512words |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MatteTin(Sn)-annealed |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.2mm |
| 长度 | 4.4mm |
| 宽度 | 3mm |
| 包装说明 | TSSOP-8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 416 | 19.051200 |
| 1843606 | PHOENIX | 381 | 1.928640 |
| 1803565 | PHOENIX | 301 | 12.657680 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 49 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
