在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 47L64-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 47L64 I/SN | 0 | 0 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | SOIC-8 |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 1 MHz |
| 接口类型 | I2C |
| 电源电压-最小 | 2.7 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 8 k x 8 |
| 电源电流—最大 | 1 mA |
| 存储容量 | 64 kbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 65.536kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 8KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Access Time-Max | 550ns |
| Memory IC Type | MEMORYCIRCUIT |
| Mixed Memory Type | EEPROM+SRAM |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 8000 |
| Number of Words | 8.192k |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.23 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Length | 4.9mm |
| Width | 3.9mm |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Package Description | , |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
| 生命周期 | Obsolete |
| 内存密度 | 65.536kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 8KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 最长访问时间 | 550ns |
| 内存集成电路类型 | MEMORYCIRCUIT |
| 混合内存类型 | EEPROM+SRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 8000 |
| 字数 | 8.192k |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.23 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 包装说明 | , |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| NVRAM 内存配置 | 8K x 8位 |
| MSL | MSL 3 - 168小时 |
| 存取时间 | - |
| 存储器容量 | 64Kbit |
| 封装类型 | NSOIC |
| 工作温度最高值 | 85°C |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 芯片接口类型 | I2C |
| 针脚数 | 8Pins |
| 电源电压最小值 | 2.7V |
| 电源电压最大值 | 3.6V |
| 存储器类型 | EERAM |
| 产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5200 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 |
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.505600 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 500 | 0.954180 |
| 1803565 | PHOENIX | 100 | 12.210800 |
| 1843606 | PHOENIX | 19 | 1.928640 |
