在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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511BBA100M000AAG | SKYWORKS/思佳讯 | 0 | 300 | 中国内地:4-7工作日 中国香港:3-5工作日 |
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511BBA100M000AAG | SILICON LABS/芯科 | 100MHz ±25ppm 3.3V | 0 | 1 | 中国内地:3-5工作日 |
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规格参数 | |
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功能 | 启用/禁用 |
电流 - 电源(最大值) | 23mA |
电流 - 电源(禁用)(最大值) | 18mA |
高度 - 安装(最大值) | 0.071"(1.80mm) |
封装/外壳 | 6-SMD,无引线 |
类型 | XO(标准) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
频率 | 100MHz |
基本谐振器 | 晶体 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
频率稳定度 | ±25ppm |
电压 - 电源 | 3.3V |
大小/尺寸 | 0.276" 长 x 0.197" 宽(7.00mm x 5.00mm) |
系列 | Si511 |
在线目录 | Si510 and 511 Series |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带 |
输出 | LVDS |
工作温度最高值 | 85°C |
工作温度最小值 | -40°C |
振荡器输出兼容性 | LVDS |
振荡器封装 | SMD, 7mm x 5mm |
频率稳定度 + / - | 50ppm |
额定电源电压 | 3.3V |
额定频率 | 100MHz |
产品范围 | Si511 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 6300 | 1.600480 |
DF3-7S-2C | HRS | 5000 | 0.230720 |
SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.207000 |
DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.822250 |
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.455400 |
DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 900 | 2.329600 |
DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 600 | 3.713920 |
DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.375680 |
DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.454880 |