在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 6116SA25TPG | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY/艾迪悌半导体 | 0 | 1 | 中国内地：3周 中国香港：14-16工作日 |
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| 6116SA25TPGI | RENESAS/瑞萨 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 6116SA25TPG | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 16.384kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 2KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Access Time-Max | 25ns |
| Memory IC Type | STANDARDSRAM |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 2000 |
| Number of Words | 2.048k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Output Enable | YES |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Standby Current-Max | 40mA |
| Standby Voltage-Min | 4.5V |
| Supply Current-Max | 120µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Technology | CMOS |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T24 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 24 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP24,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | MatteTin(Sn) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 3.3mm |
| Length | 31.75mm |
| Width | 7.62mm |
| Source Content uid | 6116SA25TPGI |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Package Description | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.41 |
| Samacsys Manufacturer | RenesasElectronics |
| Part Package Code | PDIP |
| Pin Count | 24 |
| Manufacturer Package Code | PTG24 |
| Date Of Intro | 2020-07-21 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5200 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 |
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.505600 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 500 | 0.954180 |
| 1843606 | PHOENIX | 250 | 1.928640 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
