在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 6MBI75VA-060-50 | ISC/固电 | 100 | 50 | 中国内地:3-5周 中国香港:3-5周 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 集电极-发射极最大电压 | 600V |
| 最大集电极电流 (IC) | 75A |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子数量 | 21 |
| 元件数量 | 6 |
| 晶体管应用 | POWERCONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 530ns |
| 标称接通时间 (ton) | 390ns |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X21 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGEMOUNT |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 包装说明 | FLANGEMOUNT,R-XUFM-X21 |
| 针数 | 28 |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 1.983397 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.086774 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 6317 | 1.534000 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.735512 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.773000 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.882323 |
| 45970-3185 | MOLEX | 463 | 131.089327 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |