在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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70V25L20PFGI | RENESAS/瑞萨 | 180 | 45 | 中国内地:1-2工作日 |
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70V25L20PFGI | RENESAS/瑞萨 | 15 | 1 盘 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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70V25L20PFGI8 | RENESAS/瑞萨 | 0 | 750 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
封装类型 | TQFP-100 |
Supply Voltage-Nom | 3V to 3.6V |
Input Capacitance | 9pF |
Memory Density | 128kb |
Interface Type | Parallel |
Memory Type | Volatile |
Memory Organization | 8 K x 16 |
Operating Mode | Asynchronous |
Access Time-Max | 25ns |
芯片安装 | 表面安装 |
SRAM类型 | 双孔SRAM |
工作温度最小值 | -40°C |
额定电源电压 | 3.3V |
工作温度最高值 | 85°C |
存储密度 | 128Kbit |
时钟频率最大值 | -MHz |
针脚数 | 100Pins |
电源电压最小值 | 3V |
IC 外壳 / 封装 | TQFP |
电源电压最大值 | 3.6V |
记忆配置 | 8K x 16位 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
1843606 | PHOENIX | 353 | 1.928640 |
1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 43 | 145.505268 |
FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |