在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 7134LA25JGI8 | RENESAS/瑞萨 | 0 | 400 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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| 7134LA25JGI | RENESAS/瑞萨 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| 封装类型 | PLCC-52 |
| Supply Voltage-Nom | 4.5V to 5.5V |
| Input Capacitance | 11pF |
| Memory Density | 32kb |
| Interface Type | Parallel |
| Memory Organization | 4 K x 8 |
| Operating Mode | Asynchronous |
| Access Time-Max | 25ns |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5200 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.505600 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 500 | 0.954180 |
| 1843606 | PHOENIX | 250 | 1.928640 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
| 1984031 | PHOENIX | 140 | 3.977820 |