在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 8305AGILFT | RENESAS/瑞萨 | 37 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| 8305AGILFT | IDT | 1:4 Multiplex Diff/L VCMOS to LVCMOS/LVTT | 0 | 1 | 中国内地：1-5工作日 |
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| 8305AGILFT | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY/艾迪悌半导体 | 0 | 40 | 中国内地：3-5工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| 封装类型 | TSSOP-16 |
| Type | Clock Buffer |
| Supply Voltage-Nom | 3.135V to 3.465V |
| Storage Temperature Range | -65°C to +150°C |
| Input Capacitance | 4pF |
| Input Type | HCSL |
| Output Type | LVCMOS |
| Clock Output Frequency - Max | 350MHz |
| 封装 | TSSOP-16 |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 汽车质量标准 | - |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 工作温度最高值 | 85°C |
| 时钟芯片类型 | 扇出缓冲 |
| 输出数 | 4输出 |
| 电源电压最小值 | 3.135V |
| 时钟集成电路封装类型 | TSSOP |
| 针脚数 | 16引脚 |
| 电源电压最大值 | 3.465V |
| 频率 | 350MHz |
| 产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 30 | 4.086306 |
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 28 | 1.606872 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 17.016720 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 64.274672 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 6 | 18.500520 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
