在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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8N4S270EC-1088CDI | RENESAS/瑞萨 | 8N4S270EC 1088CDI | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
Dimension | L 7mm x W 5mm x H 1.55mm |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
No of Terminals | 6 |
Supply Voltage | 3.135V to 3.465V |
Supply Current | 134mA |
Rise Time | 450ps |
Output Type | LVDS |
Operating Frequency | 156.25MHz |
Fall Time | 450ps |
Duty Cycle-Max | 53% |
Oscillator Type | XO Standard |
Frequency Stability | ±50ppm |
封装 | SMD-6 |
电源电压-最大 | 3.465 V |
工作电源电压 | 3.3 V |
产品 | XO |
频率稳定性 | 50 PPM |
输出格式 | LVDS |
高度 | 1.5 mm |
电源电压-最小 | 3.135 V |
长度 | 7 mm |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 85 C |
频率 | 15.48 MHz to 866.67 MHz, 975 MHz to 1300 MHz |
宽度 | 5 mm |
包装 | Tray |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |