在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 93AA46AE48T-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 128 X 8 SERIAL EE 1K EUI48, IND | 52895 | 3300 | 中国内地：11-17工作日 |
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| 93AA46CT-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 128x8 Or 64x16 | 17955 | 3300 | 中国内地：11-17工作日 |
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| 93AA46CX-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 128x8-64x16 1.8V RP | 1000 | 100 | 中国内地：3-4周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 存储容量 | 1Kb （128 x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 6ms |
| 存储器接口 | SPI |
| 基本零件编号 | 93AA46A |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | Microwire Serial EEPROM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 2MHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | SOIC-8 |
| 最大时钟频率 | 1 MHz |
| 接口类型 | Serial, 3-Wire, Microwire |
| 组织 | 128 x 8 |
| 访问时间 | 250 ns |
| 存储容量 | 1 kbit |
| 数据保留 | 200 Year |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 1.8 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 1.024kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 128X8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5V |
| 电源 | 2/5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1MHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 128 |
| 字数 | 128words |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | TOTEMPOLE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 反向引出线 | NO |
| 串行总线类型 | MICROWIRE |
| 最大待机电流 | 1µA |
| 最大压摆率 | 2µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 6ms |
| 写保护 | SOFTWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 筛选级别 | TS16949 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 3.90MM,ROHSCOMPLIANT,PLASTIC,SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 存储密度 | 1Kbit |
| 芯片安装 | 表面安装 |
| 时钟频率最大值 | 1MHz |
| 接口 | 串行Microwire |
| 针脚数 | 8Pins |
| 工作温度最高值 | 85°C |
| 电源电压最小值 | 1.8V |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 电源电压最大值 | 5.5V |
| IC 外壳 / 封装 | SOIC |
| 记忆配置 | 128 x 8位 |
| 产品范围 | 1Kbit Microwire Serial EEPROM |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
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