在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 93AA46CT-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 128x8 Or 64x16 | 2100 | 2500 | 中国内地：3-4周 |
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| 93AA46B-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 64x16 | 900 | 100 | 中国内地：3-4周 |
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| 93AA46C-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 128x8 Or 64x16 | 800 | 100 | 中国内地：3-4周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 存储容量 | 1Kb （128 x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 6ms |
| 存储器接口 | SPI |
| 基本零件编号 | 93AA46A |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | Microwire Serial EEPROM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 2MHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 1.024kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 128X8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.5V |
| Power Supplies | 2/5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 1MHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 128 |
| Number of Words | 128words |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | TOTEMPOLE |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Ready/Busy | YES |
| Reverse Pinout | NO |
| Serial Bus Type | MICROWIRE |
| Standby Current-Max | 1µA |
| Supply Current-Max | 2µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 6ms |
| Write Protection | SOFTWARE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Screening Level | TS16949 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSSOP |
| Package Equivalence Code | TSSOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MatteTin(Sn) |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Length | 4.4mm |
| Width | 3mm |
| Source Content uid | 93AA46A-I/ST |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
