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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
93AA46X/SN MICROCHIP/微芯 128x8-64x16 1.8V RP 0 1 中国内地:14-17工作日
中国香港:12-15工作日
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93AA46X-I/SN MICROCHIP/微芯 128x8-64x16 1.8V RP 0 1 中国内地:14-17工作日
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规格参数
供应商器件封装 8-SOIC
存储容量 1Kb(128 x 8 ,64 x 16)
存储器类型 非易失
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
零件状态 停產
写周期时间 - 字,页 10ms
存储器接口 SPI
基本零件编号 93AA46
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
电压 - 电源 1.8V ~ 5.5V
技术 EEPROM
安装类型 表面贴装型
包装 管件
时钟频率 2MHz
存储器格式 EEPROM
封装 SOIC-8
电源电压-最大 5.5 V
安装风格 SMD/SMT
最大时钟频率 1 MHz
系列 93AA46
接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire
电源电压-最小 1.8 V
最小工作温度 0 C
组织 128 x 8, 64 x 16
访问时间 6 ms
电源电流—最大 3 mA
存储容量 1 kbit
最大工作温度 + 70 C
数据保留 200 Year
包装 Tube
Part Life Cycle Code NotRecommended
Memory Density 1.024kbit
Memory Width 16
Organization 64X16
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3V
Clock Frequency-Max (fCLK) 2MHz
Memory IC Type EEPROM
Alternate Memory Width 8
Data Retention Time-Min 200
Endurance 1000000Write/EraseCycles
Number of Functions 1
Number of Words Code 64
Number of Words 64words
Operating Mode SYNCHRONOUS
Output Characteristics 3-STATE
Parallel/Serial SERIAL
Serial Bus Type MICROWIRE
Standby Current-Max 30µA
Supply Current-Max 1µA
Supply Voltage-Max (Vsup) 5.5V
Supply Voltage-Min (Vsup) 1.8V
Technology CMOS
Temperature Grade COMMERCIAL
Write Cycle Time-Max (tWC) 10ms
Write Protection SOFTWARE
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Qualification Status NotQualified
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Operating Temperature-Max 70°C
Screening Level TS16949
Number of Terminals 8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code SOP
Package Equivalence Code SOP8,.25
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALLOUTLINE
Surface Mount YES
Terminal Finish MatteTin(Sn)
Terminal Form GULLWING
Terminal Pitch 1.27mm
Terminal Position DUAL
Seated Height-Max 1.75mm
Length 4.9mm
Width 3.91mm
Source Content uid 93AA46X/SN
Ihs Manufacturer MICROCHIPTECHNOLOGYINC
Part Package Code SOIC
Package Description SOIC-8
Pin Count 8
Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99
HTS Code 8542.32.00.51
生命周期 NotRecommended
内存密度 1.024kbit
内存宽度 16
组织 64X16
标称供电电压 (Vsup) 3V
电源 2/5V
最大时钟频率 (fCLK) 2MHz
内存集成电路类型 EEPROM
备用内存宽度 8
数据保留时间-最小值 200
耐久性 1000000Write/EraseCycles
功能数量 1
字数代码 64
字数 64words
工作模式 SYNCHRONOUS
输出特性 3-STATE
并行/串行 SERIAL
串行总线类型 MICROWIRE
最大待机电流 30µA
最大压摆率 1µA
最大供电电压 (Vsup) 5.5V
最小供电电压 (Vsup) 1.8V
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
最长写入周期时间 (tWC) 10ms
写保护 SOFTWARE
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
认证状态 NotQualified
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
最高工作温度 70°C
筛选级别 TS16949
端子数量 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALLOUTLINE
表面贴装 YES
端子面层 MatteTin(Sn)
端子形式 GULLWING
端子节距 1.27mm
端子位置 DUAL
座面最大高度 1.75mm
长度 4.9mm
宽度 3.91mm
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOIC-8
针数 8
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
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