在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 93AA56AT-I/SN | TD/钍地半导体 | 20000 | 2500 盘 | 中国内地：2-4工作日 |
查看价格 | |
| 93AA56AT-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 256x8 - 1.8V | 0 | 3300 | 中国内地：3-6周 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 存储容量 | 2Kb （256 x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 6ms |
| 存储器接口 | SPI |
| 基本零件编号 | 93AA56A |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | 93AA56A/B/C, 93LC56A/B/C and 93C56A/B/C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 时钟频率 | 2MHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 封装 | SOIC-8 |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 1 MHz |
| 接口类型 | Serial, 3-Wire, Microwire |
| 电源电压-最小 | 1.8 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 256 x 8 |
| 访问时间 | 250 ns |
| 电源电流—最大 | 2 mA |
| 存储容量 | 2 kbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 数据保留 | 200 Year |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 2.048kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 256X8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 2/5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 1MHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 256 |
| Number of Words | 256words |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | TOTEMPOLE |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Ready/Busy | YES |
| Reverse Pinout | NO |
| Serial Bus Type | MICROWIRE |
| Standby Current-Max | 1µA |
| Supply Current-Max | 2µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Toggle Bit | YES |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 6ms |
| Write Protection | SOFTWARE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Screening Level | TS16949 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Length | 4.9mm |
| Width | 3.9mm |
| Source Content uid | 93AA56AT-I/SN |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | 3.90MM,ROHSCOMPLIANT,PLASTIC,SOIC-8 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 2.048kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 256X8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 2/5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1MHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 256 |
| 字数 | 256words |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | TOTEMPOLE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 反向引出线 | NO |
| 串行总线类型 | MICROWIRE |
| 最大待机电流 | 1µA |
| 最大压摆率 | 2µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 切换位 | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 6ms |
| 写保护 | SOFTWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 筛选级别 | TS16949 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 3.90MM,ROHSCOMPLIANT,PLASTIC,SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
