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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
93C56C-I/ST MICROCHIP/微芯 128x8 Or 64x16 30700 100 中国内地:11-17工作日
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规格参数
供应商器件封装 8-TSSOP
存储容量 2Kb (256 x 8,128 x 16)
存储器类型 非易失
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
零件状态 有源
写周期时间 - 字,页 2ms
存储器接口 SPI
基本零件编号 93C56C
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
电压 - 电源 4.5V ~ 5.5V
技术 EEPROM
安装类型 表面贴装型
包装 管件
时钟频率 3MHz
存储器格式 EEPROM
封装 TSSOP-8
电源电压-最大 5.5 V
安装风格 SMD/SMT
最大时钟频率 3 MHz
接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire
电源电压-最小 4.5 V
最小工作温度 - 40 C
组织 256 x 8, 128 x 16
访问时间 200 ns
电源电流—最大 2 mA
存储容量 2 kbit
最大工作温度 + 85 C
数据保留 200 Year
包装 Tube
生命周期 Active
内存密度 2.048kbit
内存宽度 16
组织 128X16
标称供电电压 (Vsup) 5V
电源 5V
最大时钟频率 (fCLK) 3MHz
内存集成电路类型 EEPROM
备用内存宽度 8
数据保留时间-最小值 200
耐久性 1000000Write/EraseCycles
功能数量 1
端口数量 1
字数代码 128
字数 128words
工作模式 SYNCHRONOUS
输出特性 TOTEMPOLE
并行/串行 SERIAL
就绪/忙碌 YES
反向引出线 NO
串行总线类型 MICROWIRE
最大待机电流 1µA
最大压摆率 2µA
最大供电电压 (Vsup) 5.5V
最小供电电压 (Vsup) 4.5V
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
切换位 YES
最长写入周期时间 (tWC) 2ms
写保护 SOFTWARE
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
认证状态 NotQualified
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
最高工作温度 85°C
最低工作温度 -40°C
峰值回流温度(摄氏度) 260
筛选级别 TS16949
处于峰值回流温度下的最长时间 40
端子数量 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP
封装等效代码 TSSOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
表面贴装 YES
端子面层 MatteTin(Sn)
端子形式 GULLWING
端子节距 650µm
端子位置 DUAL
座面最大高度 1.2mm
长度 4.4mm
宽度 3mm
零件包装代码 SOIC
包装说明 TSSOP,TSSOP8,.25
针数 8
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
交付时间 [objectObject]
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