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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
93C66CT-I/MC MICROCHIP/微芯 4K 128X8 OR 64X16 SER EE IND 0 3300 中国内地:3-6周
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规格参数
供应商器件封装 8-DFN(2x3)
存储容量 4Kb (512 x 8,256 x 16)
存储器类型 非易失
封装/外壳 8-VFDFN 裸露焊盘
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
零件状态 Digi-Key 停产
写周期时间 - 字,页 2ms
存储器接口 SPI
基本零件编号 93C66C
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
电压 - 电源 4.5V ~ 5.5V
技术 EEPROM
安装类型 表面贴装型
包装 剪切带(CT)
时钟频率 3MHz
存储器格式 EEPROM
零件状态 有源
包装 带卷(TR)
包装 Digi-Reel®
封装 DFN-8
电源电压-最大 5.5 V
安装风格 SMD/SMT
最大时钟频率 3 MHz
接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire
电源电压-最小 4.5 V
最小工作温度 - 40 C
组织 512 x 8, 256 x 16
访问时间 200 ns
电源电流—最大 2 mA
存储容量 4 kbit
最大工作温度 + 85 C
数据保留 200 Year
包装 Cut Tape, Reel
生命周期 Active
内存密度 4.096kbit
内存宽度 16
组织 256X16
标称供电电压 (Vsup) 5V
电源 5V
最大时钟频率 (fCLK) 2MHz
内存集成电路类型 EEPROM
其他特性 ALSOCONFIGURABLEAS512X8
备用内存宽度 8
数据保留时间-最小值 200
耐久性 1000000Write/EraseCycles
功能数量 1
字数代码 256
字数 256words
工作模式 SYNCHRONOUS
输出特性 TOTEMPOLE
并行/串行 SERIAL
就绪/忙碌 YES
反向引出线 NO
串行总线类型 MICROWIRE
最大待机电流 1µA
最大压摆率 2µA
最大供电电压 (Vsup) 5.5V
最小供电电压 (Vsup) 4.5V
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
切换位 YES
最长写入周期时间 (tWC) 2ms
写保护 SOFTWARE
JESD-30 代码 R-PDSO-N8
认证状态 NotQualified
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
最高工作温度 85°C
最低工作温度 -40°C
峰值回流温度(摄氏度) 260
筛选级别 TS16949
处于峰值回流温度下的最长时间 40
端子数量 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON
封装等效代码 SOLCC8,.11,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALLOUTLINE,VERYTHINPROFILE
表面贴装 YES
端子面层 MatteTin(Sn)
端子形式 NOLEAD
端子节距 650µm
端子位置 DUAL
座面最大高度 1mm
长度 3mm
宽度 2.9mm
包装说明 VSON,SOLCC8,.11,20
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
交付时间 [objectObject]
零件包装代码 DFN
针数 8
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