在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| A-U200-P64G-PQ-G | XILINX/赛灵思 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 存储容量 | 64GB |
| 接口 | PCI Express |
| 冷却方式 | 散热片 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 功率（W） | 225W |
| LUT | 892K |
| INT8 TOPs | 18.6 |
| 工作温度 | 0°C ~ 45°C |
| 带宽 | 77GB/s |
| 系列 | ALVEO |
| 在线目录 | ALVEO Series |
| 工作温度最小值 | 0°C |
| 工作温度最高值 | 45°C |
| 产品范围 | U200 Alveo Series |
| 热冷却类型 | 无源 |
| 总功率最大值 | 225W |
| 存储器容量 | 35MB |
| 接口类型 | PCI Express Gen3x16 |
| 网络接口 | 2x QSFP28 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
| BAV99 A7 | 长电/长晶(JCET) | 91165 | 0.138740 |
| BAT54C KL3 | 长电/长晶(JCET) | 38904 | 0.204120 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 16502 | 0.351780 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.124072 |
| 3DD13005ND66 | 长电/长晶(JCET) | 6712 | 1.117250 |
| TD62308AF | TOSHIBA | 3724 | 2.828308 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.792215 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.732707 |
| XLP-16V | JST | 1 | 3.321990 |
