在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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ACPL-W70L-560E | BROADCOM/博通 | Digital Optocouplers | 0 | 1000 | 中国内地:12-16工作日 中国香港:9-13工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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输入 - 输入侧 1/输入侧 2 | 1/0 |
供应商器件封装 | 6-SSO |
封装/外壳 | 6-SOIC(0.268",6.80mm 宽) |
上升/下降时间(典型值) | 3.5ns,3.5ns |
共模瞬态抗扰度(最小值) | 10kV/µs |
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) | 55ns,55ns |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
通道数 | 1 |
电流 - 输出/通道 | 10mA |
工作温度 | -40°C ~ 105°C |
电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V |
电压 - 正向(Vf)(典型值) | 1.5V |
输出类型 | 推挽式/图腾柱 |
数据速率 | 15MBd |
输入类型 | DC |
电压 - 隔离 | 5000Vrms |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
电流 - DC 正向(If) | 10mA |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC32D | NEXPERIA | 52529 | 0.398520 |
SGM2036-ADJYN5G/TR | SGMICRO | 24481 | 0.206640 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 20441 | 0.236160 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.118637 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.789415 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.726694 |
74HC86D | NEXPERIA | 1568 | 0.546120 |
43045-2402 | MOLEX | 1509 | 52.687957 |
HEF4017BT | NEXPERIA | 289 | 1.024800 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.699200 |