在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Max | 25V |
| Input Voltage-Min | 3V |
| Output Voltage1-Nom | 16V |
| Dropout Voltage1-Nom | 450mV |
| Output Current1-Max | 2A |
| Number of Outputs | 1 |
| Surface Mount | NO |
| Adjustability | FIXED |
| Dropout Voltage1-Max | 700mV |
| Input Voltage Absolute-Max | 36V |
| Line Regulation-Max | 0.05% |
| Load Regulation-Max | 0.25% |
| Number of Functions | 1 |
| Output Voltage1-Max | 16.16V |
| Output Voltage1-Min | 15.84V |
| Technology | BIPOLAR |
| Voltage Tolerance-Max | 1% |
| JESD-30 Code | R-XSFM-T5 |
| JESD-609 Code | e2 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature TJ-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 5 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Equivalence Code | SIP5,.1,67TB |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGEMOUNT |
| Terminal Finish | Tin/Copper(Sn/Cu) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 1.7mm |
| Terminal Position | SINGLE |
| Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
| Part Package Code | TO-220FP |
| Package Description | ,SIP5,.1,67TB |
| Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Feature | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| Samacsys Manufacturer | ROHMSemiconductor |
| 生命周期 | Active |
| 最大输入电压 | 25V |
| 最小输入电压 | 3V |
| 标称输出电压 1 | 16V |
| 标称回动电压 1 | 450mV |
| 最大输出电流 1 | 2A |
| 输出次数 | 1 |
| 表面贴装 | NO |
| 可调性 | FIXED |
| 最大回动电压 1 | 700mV |
| 最大绝对输入电压 | 36V |
| 最大电网调整率 | 0.05% |
| 最大负载调整率 | 0.25% |
| 功能数量 | 1 |
| 最大输出电压 1 | 16.16V |
| 最小输出电压 1 | 15.84V |
| 技术 | BIPOLAR |
| 最大电压容差 | 1% |
| JESD-30 代码 | R-XSFM-T5 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 工作温度TJ-Max | 125°C |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 5 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | SIP5,.1,67TB |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGEMOUNT |
| 端子面层 | TINCOPPER |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.7mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 包装说明 | ,SIP5,.1,67TB |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| 零件包装代码 | TO-220FP |
| 针数 | 3 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 52584 | 0.417040 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 28851 | 0.333330 |
| TL494G-S16-R | UTC | 15955 | 0.633180 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2933 | 0.592800 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2000 | 0.410020 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
