在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BALF-CC26-05D3 | ST/意法 | 50 Ohm / conjugate match to CC2610, CC2620, CC2630, CC2640 and CC2650 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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封装/外壳 | 5-UFBGA, CSPBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
频率范围 | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
在线目录 | BALF-CC26-05D3 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
阻抗 - 非平衡/平衡 | 50 / 50 欧姆 |
插入损耗(最大值) | 1.2dB |
回波损耗(最小值) | -23dB |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
生命周期 | Active |
是否符合REACH标准 | compliant |
交付时间 | [objectObject] |
制造商包装代码 | ChipScalePackage0.4mmpitch |
相位差 | - |
插入损耗 | 1.35dB |
混合均衡器封装类型 | 倒装芯片 |
最低频率 | 2.4GHz |
最高频率 | 2.54GHz |
阻抗 - 不平衡/平衡 | 50ohm |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 6300 | 1.600480 |
DF3-7S-2C | HRS | 5000 | 0.230720 |
SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.207000 |
DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.822250 |
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.455400 |
DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 900 | 2.329600 |
DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 600 | 3.713920 |
DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.375680 |
DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.454880 |