在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值） | 500mA |
| 比率 - 输入:输出 | 1：1 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP-J |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 故障保护 | 限流（固定），超温，反向电流，UVLO |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| 基本零件编号 | BD20*1A |
| 开关类型 | USB 开关 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 高端 |
| 导通电阻（典型值） | 80 毫欧 |
| 输出类型 | N 通道 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 特性 | 状态标志 |
| 在线目录 | USB Switch |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电压 - 负载 | 2.7V ~ 5.5V |
| 输出数 | 1 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Analog IC - Other Type | POWERSUPPLYSUPPORTCIRCUIT |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Current-Max (Isup) | 120µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | LSOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,LOWPROFILE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 4.9mm |
| Seated Height-Max | 1.65mm |
| Width | 3.9mm |
| Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
| Package Description | SOP,SOP8,.25 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Adjustable Threshold | NO |
| Part Package Code | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Samacsys Manufacturer | ROHMSemiconductor |
| 生命周期 | Obsolete |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | POWERSUPPLYSUPPORTCIRCUIT |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电流 (Isup) | 120µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,LOWPROFILE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 4.9mm |
| 座面最大高度 | 1.65mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 针数 | 8 |
| 可调阈值 | NO |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.010476 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.292755 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 21.018614 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 15.421266 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.976287 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
