在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BD2200GUL-E2 | ROHM/罗姆 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 不需要 |
电流 - 输出(最大值) | 500mA |
比率 - 输入:输出 | 1:1 |
供应商器件封装 | VCSP50L1 |
接口 | 开/关 |
封装/外壳 | 6-UFBGA,CSPBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | Digi-Key 停产 |
开关类型 | 通用 |
工作温度 | -25°C ~ 85°C(TA) |
输出配置 | 高端 |
导通电阻(典型值) | 100 毫欧 |
输出类型 | N 通道 |
输入类型 | 非反相 |
特性 | 负载释放,压摆率受控型 |
包装 | 剪切带(CT) |
电压 - 负载 | 2.7V ~ 5.5V |
输出数 | 1 |
包装 | Digi-Reel® |
零件状态 | 有源 |
包装 | 带卷(TR) |
生命周期 | Active |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
最大供电电流 (Isup) | 30µA |
信道数量 | 1 |
表面贴装 | YES |
可调阈值 | NO |
模拟集成电路 - 其他类型 | POWERSUPPLYSUPPORTCIRCUIT |
功能数量 | 1 |
电源 | 3.3V |
温度等级 | OTHER |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B6 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -25°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 6 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA6,2X3,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 1mm |
长度 | 1.5mm |
座面最大高度 | 550µm |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA,BGA6,2X3,20 |
针数 | 6 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87268 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |