在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BD33GA3WNUX-TR | ROHM/罗姆 | 34 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| 最大输入电压 | 14V |
| 最小输入电压 | 4.5V |
| 标称输出电压 1 | 3.3V |
| 标称回动电压 1 | 450mV |
| 最大输出电流 1 | 300mA |
| 输出次数 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 可调性 | FIXED |
| 最大回动电压 1 | 900mV |
| 最大绝对输入电压 | 15V |
| 最大电网调整率 | 0.033% |
| 最大负载调整率 | 0.0495% |
| 功能数量 | 1 |
| 最大输出电压 1 | 3.333V |
| 最小输出电压 1 | 3.267V |
| 技术 | CMOS |
| 最大电压容差 | 1% |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 工作温度TJ-Max | 150°C |
| 工作温度TJ-Min | -25°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.12,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 包装方法 | TR |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 2mm |
| 长度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 600µm |
| 包装说明 | HVSON,SOLCC8,.12,20 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 极性 | 正向输出 |
| 芯片安装 | 表面安装 |
| 输出数 | 1输出 |
| 工作温度最高值 | 85°C |
| 输出电压标称值 | 3.3V |
| 输入电压最大值 | 14V |
| 输入电压最小值 | 4.5V |
| 输出类型 | 固定 |
| 工作温度最小值 | -25°C |
| 输出电流最大值 | 300mA |
| IC 外壳 / 封装 | VSON008X2030 |
| 产品范围 | 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators |
| 压差典型值@电流 | 450mV |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87268 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
