在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BD50HC0WEFJ-E2 | ROHM/罗姆 | 250 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 稳压器数 | 1 |
| 电流 - 输出 | 1A |
| 供应商器件封装 | 8-HTSOP-J |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 |
| 电压 - 输出（最小值/固定） | 5V |
| 控制特性 | 使能 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 压降（最大值） | 0.92V @ 1A |
| 保护功能 | 过流，超温，软启动 |
| 基本零件编号 | BD50 |
| 电流 - 电源（最大值） | 15µA |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 输出配置 | 正 |
| 输出类型 | 固定 |
| 电流 - 静态（Iq) | 6µA |
| 电压 - 输入（最大值） | 8V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 生命周期 | Active |
| 最大输入电压 | 8V |
| 最小输入电压 | 5.92V |
| 标称输出电压 1 | 5V |
| 标称回动电压 1 | 600mV |
| 最大输出电流 1 | 1A |
| 输出次数 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 可调性 | FIXED |
| 最大回动电压 1 | 920mV |
| 最大绝对输入电压 | 10V |
| 最大电网调整率 | 0.05% |
| 最大负载调整率 | 0.075% |
| 功能数量 | 1 |
| 最大输出电压 1 | 5.05V |
| 最小输出电压 1 | 4.95V |
| 技术 | CMOS |
| 最大电压容差 | 1% |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 工作温度TJ-Max | 150°C |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -25°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSOP |
| 封装等效代码 | TSOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,VERYTHINPROFILE |
| 包装方法 | TR |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3.9mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 包装说明 | VSOP,TSOP8,.25 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| IC 外壳 / 封装 | HTSOP-J |
| 输出电压最大值 | -V |
| 输出电压最小值 | -V |
| 产品范围 | 5V 1A LDO Voltage Regulators |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87268 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
