在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BD6538G-TR | ROHM/罗姆 | Small Pkg High Side Sw IC | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值） | 500mA |
| 比率 - 输入:输出 | 1：1 |
| 供应商器件封装 | 5-SSOP |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 故障保护 | 限流（固定），超温，UVLO |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | BD6538 |
| 开关类型 | 通用 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 高端 |
| 导通电阻（典型值） | 150 毫欧 |
| 输出类型 | N 通道 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 特性 | 压摆率受控型，状态标志 |
| 在线目录 | General Purpose |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电压 - 负载 | 2.7V ~ 5.5V |
| 输出数 | 1 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 导通电阻—最大值 | 200 mOhms |
| 封装 | SSOP-5 |
| 类型 | High Side |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 工作电源电压 | 2.7 V to 5.5 V |
| 输出电流 | 500 mA |
| 系列 | BD6538G |
| 电流限制 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 信道数量 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 可调阈值 | NO |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | POWERSUPPLYSUPPORTCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 5 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,LOWPROFILE,SHRINKPITCH |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 950µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 1.6mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 座面最大高度 | 1.25mm |
| 零件包装代码 | SSOP |
| 包装说明 | LSSOP, |
| 针数 | 5 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 电源负载开关类型 | 高压侧 |
| 开/使能输入极性 | 高有源 |
| 汽车质量标准 | - |
| 热保护 | 是 |
| 配电开关封装类型 | SSOP |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 工作温度最高值 | 85°C |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 通道数 | 1放大器 |
| 输入电压 | 5.5V |
| IC 外壳 / 封装 | SSOP |
| 通电阻 | 0.15ohm |
| 电流极限 | 1A |
| 针脚数 | 5引脚 |
| 合规 | - |
| 产品范围 | Fuse Kits |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.010476 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.292755 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 21.018614 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 15.421266 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.976287 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
