在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BD6758KN-E2 | ROHM/罗姆 | 0 | 1 | 中国内地:3-5工作日 中国香港:5-8工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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功能 | 驱动器 - 全集成,控制和功率级 |
电流 - 输出 | 500mA |
供应商器件封装 | 36-VQFN(6x6) |
接口 | 并联 |
封装/外壳 | 36-VFQFN |
电机类型 - AC,DC | 有刷直流 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | BD6758 |
工作温度 | -25°C ~ 150°C(TJ) |
输出配置 | 半桥(10) |
电压 - 电源 | 2.5V ~ 5.5V |
应用 | 照相机 |
技术 | CMOS |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
电压 - 负载 | 2.5V ~ 5.5V |
Part Life Cycle Code | NotRecommended |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3V |
Surface Mount | YES |
Output Current-Max | 800mA |
Analog IC - Other Type | STEPPERMOTORCONTROLLER |
Number of Functions | 1 |
Supply Current-Max (Isup) | 2.5mA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.5V |
Temperature Grade | OTHER |
JESD-30 Code | S-XQCC-N36 |
Qualification Status | NotQualified |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -25°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
Number of Terminals | 36 |
Package Body Material | UNSPECIFIED |
Package Code | VQCCN |
Package Equivalence Code | LCC36,.25SQ,20 |
Package Shape | SQUARE |
Package Style | CHIPCARRIER,VERYTHINPROFILE |
Terminal Form | NOLEAD |
Terminal Pitch | 500µm |
Terminal Position | QUAD |
Length | 6.2mm |
Seated Height-Max | 950µm |
Width | 6.2mm |
Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
Part Package Code | QFN |
Package Description | VQCCN,LCC36,.25SQ,20 |
Pin Count | 36 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Samacsys Manufacturer | ROHMSemiconductor |
生命周期 | NotRecommended |
标称供电电压 (Vsup) | 3V |
表面贴装 | YES |
电源 | 3V |
最大输出电流 | 800mA |
模拟集成电路 - 其他类型 | STEPPERMOTORCONTROLLER |
功能数量 | 1 |
最大供电电流 (Isup) | 2.5mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5V |
温度等级 | OTHER |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N36 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -25°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 36 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | VQCCN |
封装等效代码 | LCC36,.25SQ,20 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIPCARRIER,VERYTHINPROFILE |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | QUAD |
长度 | 6.2mm |
座面最大高度 | 950µm |
宽度 | 6.2mm |
零件包装代码 | QFN |
包装说明 | VQCCN,LCC36,.25SQ,20 |
针数 | 36 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.101861 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3786 | 11.010713 |
74VHCT244AMTC | FSC | 3475 | 0.964320 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.472641 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 548 | 41.698552 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.831168 |