在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BD82000FVJ-LBE2 | ROHM/罗姆 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值） | 1A |
| 比率 - 输入:输出 | 1：1 |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP-BJ |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 故障保护 | 限流（固定），超温，UVLO |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 开关类型 | USB 开关 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 高端 |
| 导通电阻（典型值） | 70 毫欧 |
| 输出类型 | N 通道 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 特性 | 压摆率受控型，状态标志 |
| 在线目录 | USB Switch |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 电压 - 负载 | 2.7V ~ 5.5V |
| 输出数 | 1 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 封装 | TSSOP-B8J-8 |
| 工作电源电压 | 2.7 V to 5.5 V |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 导通电阻—最大值 | 110 mOhms |
| 电流限制 | 1.5 A |
| 类型 | High Side |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Output Peak Current Limit-Nom | 1A |
| Turn-off Time | 40µs |
| Turn-on Time | 20ms |
| Built-in Protections | OVERCURRENT;THERMAL;UNDERVOLTAGE |
| Number of Functions | 1 |
| Output Current Flow Direction | SINK |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 2.7V |
| Surface Mount | YES |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | S-PDSO-G8 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSSOP |
| Package Shape | SQUARE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 3mm |
| Seated Height-Max | 1.1mm |
| Width | 3mm |
| Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
| Package Description | TSSOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 5V |
| 标称输出峰值电流 | 1A |
| 断开时间 | 40µs |
| 接通时间 | 20ms |
| 内置保护 | OVERCURRENT;THERMAL;UNDERVOLTAGE |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SINK |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 2.7V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装形状 | SQUARE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 1.1mm |
| 宽度 | 3mm |
| 包装说明 | TSSOP, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87252 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
