在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BD9422EFV-E2 | ROHM/罗姆 | 200 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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拓扑 | 升压 |
供应商器件封装 | 40-HTSSOP-B |
调光 | 模拟,PWM |
频率 | 500kHz |
封装/外壳 | 40-VSSOP(0.213",5.40mm 宽度)裸焊盘 |
类型 | DC DC 稳压器 |
电压 - 供电(最低) | 9V |
电压 - 供电(最高) | 35V |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
应用 | 背光 |
电流 - 输出/通道 | 400mA |
内部开关 | 是 |
在线目录 | DC DC Regulator |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 剪切带(CT) |
输出数 | 6 |
包装 | Digi-Reel® |
零件状态 | 在售 |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 带卷(TR) |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom | 24V |
Number of Segments | 8 |
Input Characteristics | SCHMITTTRIGGER |
Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
Interface IC Type | LEDDISPLAYDRIVER |
Multiplexed Display Capability | NO |
Number of Functions | 1 |
Supply Current-Max | 16mA |
Supply Voltage-Max | 35V |
Supply Voltage-Min | 9V |
Surface Mount | YES |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-G40 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
Number of Terminals | 40 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | HTSSOP |
Package Equivalence Code | TSSOP40,.30 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 650µm |
Terminal Position | DUAL |
Length | 13.6mm |
Seated Height-Max | 1mm |
Width | 5.4mm |
Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
Package Description | HTSSOP,TSSOP40,.30 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Samacsys Manufacturer | ROHMSemiconductor |
生命周期 | Active |
标称供电电压 | 24V |
区段数 | 8 |
输入特性 | SCHMITTTRIGGER |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
接口集成电路类型 | LEDDISPLAYDRIVER |
复用显示功能 | NO |
功能数量 | 1 |
最大压摆率 | 16mA |
最大供电电压 | 35V |
最小供电电压 | 9V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G40 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 40 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HTSSOP |
封装等效代码 | TSSOP40,.30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 13.6mm |
座面最大高度 | 1mm |
宽度 | 5.4mm |
包装说明 | HTSSOP,TSSOP40,.30 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
MSL | MSL 3 - 168小时 |
芯片安装 | 表面安装 |
工作温度最小值 | -40°C |
工作温度最高值 | 85°C |
输入电压最小值 | 9V |
IC 外壳 / 封装 | HTSSOP |
输入电压最大值 | 35V |
输出电压最大值 | - |
针脚数 | 40引脚 |
拓扑结构 | 升压 |
典型开关频率 | 500kHz |
产品范围 | - |
输出电流最大值 | 2.4A |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87252 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |