在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BFP780H6327XTSA1 | INFINEON/英飞凌 | RF BIP TRANSISTORS | 16 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz |
供应商器件封装 | SOT343-4-2 |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
工作温度 | 150°C(TJ) |
增益 | 27dB |
功率 - 最大值 | 600mW |
在线目录 | NPN RF Transistors |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 120mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 6.1V |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 85 @ 90mA,5V |
频率 - 跃迁 | 900MHz |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
封装 | SOT-343-4 |
频率 | 900 MHz |
OIP3 - 三阶截点 | 34.5 dBm |
工作电源电压 | 5 V |
工作电源电流 | 90 mA |
NF—噪声系数 | 1.2 dB |
最大工作温度 | + 150 C |
包装 | Reel, Cut Tape |
Part Life Cycle Code | Obsolete |
Collector-Emitter Voltage-Max | 6.1V |
Collector Current-Max (IC) | 120mA |
Polarity/Channel Type | NPN |
Surface Mount | YES |
Configuration | SINGLE |
Number of Terminals | 4 |
Highest Frequency Band | ULTRAHIGHFREQUENCYBAND |
Number of Elements | 1 |
Transition Frequency-Nom (fT) | 20GHz |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Case Connection | EMITTER |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALLOUTLINE |
Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Position | DUAL |
Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
Package Description | SMALLOUTLINE,R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
生命周期 | Obsolete |
集电极-发射极最大电压 | 6.1V |
最大集电极电流 (IC) | 120mA |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
配置 | SINGLE |
端子数量 | 4 |
最高频带 | ULTRAHIGHFREQUENCYBAND |
元件数量 | 1 |
标称过渡频率 (fT) | 20GHz |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最低工作温度 | -40°C |
外壳连接 | EMITTER |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | TIN |
端子形式 | GULLWING |
端子位置 | DUAL |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
包装说明 | SMALLOUTLINE,R-PDSO-G4 |
合规 | - |
晶体管安装 | 表面安装 |
晶体管极性 | NPN |
工作温度最高值 | 150°C |
晶体管封装类型 | SOT-343 |
产品范围 | - |
直流电流增益hFE最小值 | 85hFE |
针脚数 | 4Pins |
功率耗散 | 600mW |
连续集电极电流 | 120mA |
最大集电极发射电压 | 6.6V |
过渡频率 | 20GHz |
MSL | MSL 1 -无限制 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
HCTF12001 | AMPHENOL | 13329 | 1.470000 |
HCTF21601 | AMPHENOL | 8325 | 1.369625 |
M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.833971 |
AC-CP000382 | AMPHENOL | 2101 | 0.232044 |
ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |