在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BM64SPKS1MC2-0001AA | MICROCHIP/微芯 | BM64SPKS1MC2 0001AA | 1406 | 100 | 中国内地:11-22工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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频率 | 2.4GHz |
封装/外壳 | 模块 |
调制 | 8DPSK,DQPSK,GFSK |
射频系列/标准 | 蓝牙 |
串行接口 | I²S,UART |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | BM64 |
固件版本 | DSPK1.1 |
工作温度 | -20°C ~ 70°C |
电压 - 电源 | 3.2V ~ 4.2V |
功率 - 输出 | 15dBm |
数据速率 | 3Mbps |
灵敏度 | -90dBm |
协议 | 蓝牙 v5.0 |
在线目录 | BM62 and BM64 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 散装 |
电流 - 接收 | 15mA |
电流 - 传输 | 15mA |
天线类型 | 集成式,跟踪 |
生命周期 | Active |
封装代码 | XMA |
商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
其他特性 | ADDITIONAL5VSUPPLYISALSOREQUIRED |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 (Vsup) | 4.2V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.2V |
温度等级 | COMMERCIAL |
JESD-30 代码 | R-XXMA-N43 |
最高工作温度 | 70°C |
最低工作温度 | -20°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
筛选级别 | TS16949 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 43 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装等效代码 | MODULE,43LEAD |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 1.2mm |
端子位置 | UNSPECIFIED |
宽度 | 15mm |
长度 | 32mm |
座面最大高度 | 2.56mm |
包装说明 | , |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | 5A992.C |
HTS代码 | 8529.90.22.00 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.470203 |
HCTF12001 | AMPHENOL | 13329 | 1.470000 |
HCTF21601 | AMPHENOL | 8325 | 1.369625 |
M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.812736 |
AC-CP000382 | AMPHENOL | 2101 | 0.232044 |
ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |