在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BSV236SPH6327 | INFINEON/英飞凌 | 0 | 27000 | 中国内地:4-7工作日 中国香港:3-5工作日 |
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BSV236SPH6327XTSA1-CN | CHIPNOBO/无边界 | 0 | 3000 | 中国内地:4-8工作日 |
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BSV236SP H6327 | INFINEON/英飞凌 | P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6 | 0 | 3000 卷 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:9-11工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Active |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
配置 | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
端子数量 | 6 |
最小漏源击穿电压 | 20V |
元件数量 | 1 |
最大漏极电流 (ID) | 1.5A |
最大漏源导通电阻 | 175mΩ |
其他特性 | AVALANCHERATED |
FET 技术 | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENTMODE |
晶体管元件材料 | SILICON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
参考标准 | AEC-Q101 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子形式 | GULLWING |
端子位置 | DUAL |
包装说明 | GREEN,PLASTICPACKAGE-6 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |