在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BTN8960TA | INFINEON/英飞凌 | 0 | 10000 | 中国内地：9-18工作日 中国香港：8-16工作日 |
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| BTN8960TAAUMA1 | INFINEON/英飞凌 | TRILITH IC / NOVALITH IC | 0 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 13.5V |
| Output Peak Current Limit-Nom | 42A |
| Turn-off Time | 23µs |
| Turn-on Time | 34µs |
| Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| Additional Feature | SEATEDHGT-NOM;SEATEDHGT-CALCULATED |
| Number of Functions | 1 |
| Output Current Flow Direction | SOURCEANDSINK |
| Supply Voltage-Max | 18V |
| Supply Voltage-Min | 8V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G7 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Number of Terminals | 7 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TO-263 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | SINGLE |
| Length | 10mm |
| Seated Height-Max | 4.5mm |
| Width | 9.25mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | TO-263, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Source Content uid | BTN8960TA |
| Part Package Code | D2PAK |
| Pin Count | 4 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 13.5V |
| 标称输出峰值电流 | 42A |
| 断开时间 | 23µs |
| 接通时间 | 34µs |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| 其他特性 | SEATEDHGT-NOM;SEATEDHGT-CALCULATED |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SOURCEANDSINK |
| 最大供电电压 | 18V |
| 最小供电电压 | 8V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G7 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 端子数量 | 7 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TO-263 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 长度 | 10mm |
| 座面最大高度 | 4.5mm |
| 宽度 | 9.25mm |
| 包装说明 | TO-263, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 针数 | 4 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.094211 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3786 | 11.010713 |
| BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.095540 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.460000 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 548 | 41.698552 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.631584 |
