在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BTN8960TAAUMA1 | INFINEON/英飞凌 | TRILITH IC / NOVALITH IC | 0 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 接口 | 逻辑 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 故障保护 | 限流，超温，短路，UVLO |
| 负载类型 | 电感 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 输出配置 | 半桥 |
| 电压 - 电源 | 6V ~ 40V |
| 导通电阻（典型值） | 7.5 毫欧 LS，6.7 毫欧 HS |
| 应用 | DC 电机，通用 |
| 电流 - 输出/通道 | 30A |
| 电流 - 峰值输出 | 70A |
| 特性 | 闩锁功能，压摆率受控型，状态标志 |
| 系列 | NovalithIC™ |
| 技术 | DMOS |
| 在线目录 | Full, Half-Bridge Drivers |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电压 - 负载 | 6V ~ 40V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 13.5V |
| Output Peak Current Limit-Nom | 42A |
| Turn-off Time | 23µs |
| Turn-on Time | 34µs |
| Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| Additional Feature | SEATEDHGT-NOM;SEATEDHGT-CALCULATED |
| Number of Functions | 1 |
| Output Current Flow Direction | SOURCEANDSINK |
| Supply Voltage-Max | 18V |
| Supply Voltage-Min | 8V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G7 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Number of Terminals | 7 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TO-263 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | SINGLE |
| Length | 10mm |
| Seated Height-Max | 4.5mm |
| Width | 9.25mm |
| Source Content uid | BTN8960TAAUMA1 |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | TO-263, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Part Package Code | D2PAK |
| Pin Count | 4 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 13.5V |
| 标称输出峰值电流 | 42A |
| 断开时间 | 23µs |
| 接通时间 | 34µs |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| 其他特性 | SEATEDHGT-NOM;SEATEDHGT-CALCULATED |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SOURCEANDSINK |
| 最大供电电压 | 18V |
| 最小供电电压 | 8V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G7 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 端子数量 | 7 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TO-263 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 长度 | 10mm |
| 座面最大高度 | 4.5mm |
| 宽度 | 9.25mm |
| 包装说明 | TO-263, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 针数 | 4 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
