在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BTS141E3045ANTMA1 | INFINEON/英飞凌 | 19358 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| BTS141AKSA1 | INFINEON/英飞凌 | 14178 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| BTS141TCAUMA1 | INFINEON/英飞凌 | 984 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值） | 12A |
| 比率 - 输入:输出 | 1：1 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3-1 |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 故障保护 | 限流（固定），超温，过压 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | BTS141 |
| 开关类型 | 通用 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 输出配置 | 低端 |
| 导通电阻（典型值） | 25 毫欧 |
| 输出类型 | N 通道 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 系列 | HITFET® |
| 包装 | 管件 |
| 电压 - 负载 | 60V（最大） |
| 输出数 | 1 |
| MSL | - |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| 针脚数 | 3引脚 |
| 产品范围 | - |
| IC 外壳 / 封装 | TO-220AB |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4668 | 0.759402 |
| BTA41-800BRG | STM | 3180 | 18.210528 |
| BTS4140N | INFINEON | 2502 | 6.027000 |
| 74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
| 74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
| 74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
| 74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
| MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
| XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
| ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |
