在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BTS432E2E3062ABUMA1 | INFINEON/英飞凌 | TO-263-5 | 0 | 1 | 中国内地：2-3工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值） | 9A |
| 比率 - 输入:输出 | 1：1 |
| 供应商器件封装 | SMD TO-220AB/5 |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | TO-263-5，D²Pak（4 引线 + 接片），TO-263BB |
| 故障保护 | 限流（固定），开路负载检测，超温，过压 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| 基本零件编号 | BTS432E2 |
| 开关类型 | 通用 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 输出配置 | 高端 |
| 导通电阻（典型值） | 30 毫欧 |
| 输出类型 | N 通道 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 特性 | 自动重启，状态标志 |
| 系列 | PROFET® |
| 在线目录 | General Purpose |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电压 - 负载 | 4.5V ~ 42V |
| 输出数 | 1 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Analog IC - Other Type | POWERSUPPLYSUPPORTCIRCUIT |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 42V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 12V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 |
| Screening Level | AEC-Q100 |
| Number of Terminals | 4 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Equivalence Code | SMSIP5H,.6,67TB |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.7mm |
| Terminal Position | SINGLE |
| Length | 10mm |
| Seated Height-Max | 4.5mm |
| Width | 9.25mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | TO-263, |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Adjustable Threshold | NO |
| Source Content uid | BTS432E2E3062ABUMA1 |
| Date Of Intro | 1996-04-01 |
| Part Package Code | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87252 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
