在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BTS5231-2GS | INFINEON/英飞凌 | 1250 | 2500 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| BTS52312GSXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | BTS5231 - Half Bridge Based Peripheral Driver, 16A, MOS, PDSO14 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 13.5V |
| Driver Number of Bits | 2 |
| Output Peak Current Limit-Nom | 16A |
| Turn-off Time | 250µs |
| Turn-on Time | 250µs |
| Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| Technology | MOS |
| Number of Functions | 1 |
| Output Current Flow Direction | SINK |
| Power Supplies | 9/16V |
| Supply Voltage-Max | 28V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G14 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Screening Level | AEC-Q100 |
| Number of Terminals | 14 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP14,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 8.75mm |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Width | 4mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | SOP,SOP14,.25 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Source Content uid | BTS5231-2GS |
| Part Package Code | SOIC |
| Pin Count | 14 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 13.5V |
| 驱动器位数 | 2 |
| 标称输出峰值电流 | 16A |
| 断开时间 | 250µs |
| 接通时间 | 250µs |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| 技术 | MOS |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SINK |
| 电源 | 9/16V |
| 最大供电电压 | 28V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 8.75mm |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 4mm |
| 包装说明 | SOP,SOP14,.25 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 针数 | 14 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
