在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BU52055GWZ-E2 | ROHM/罗姆 | 12 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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Part Life Cycle Code | Active |
Surface Mount | YES |
Hysteresis | 0.8mT |
Output Range | 0.20-1.60V |
Magnetic Field Range-Max | 5.5mT |
Magnetic Field Range-Min | 1.5mT |
Sensors/Transducers Type | MAGNETICFIELDSENSOR,HALLEFFECT |
Output Type | VOLTAGEOUTPUT |
Additional Feature | SEATEDHEIGHT-MAX |
Operating Current-Max | 8µA |
Supply Voltage-Max | 3.6V |
Supply Voltage-Min | 1.65V |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Mounting Feature | SURFACEMOUNT |
Package Shape/Style | SQUARE |
Termination Type | SOLDER |
Body Breadth | 800µm |
Body Height | 400µm |
Body Length or Diameter | 800µm |
Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
Reach Compliance Code | compliant |
生命周期 | Active |
表面贴装 | YES |
滞后 | 0.8mT |
输出范围 | 0.20-1.60V |
最大磁场范围 | 5.5mT |
最小磁场范围 | 1.5mT |
传感器/换能器类型 | MAGNETICFIELDSENSOR,HALLEFFECT |
输出类型 | VOLTAGEOUTPUT |
其他特性 | SEATEDHEIGHT-MAX |
最大工作电流 | 8µA |
最大供电电压 | 3.6V |
最小供电电压 | 1.65V |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
安装特点 | SURFACEMOUNT |
封装形状/形式 | SQUARE |
端接类型 | SOLDER |
主体宽度 | 800µm |
主体高度 | 400µm |
主体长度或直径 | 800µm |
是否符合REACH标准 | compliant |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |