在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BU90008GWZ-E2 | ROHM/罗姆 | 50 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 拓扑 | 降压 |
| 功能 | 降压 |
| 电流 - 输出 | 1A |
| 供应商器件封装 | 6-UCSP35L1（1，3x0，90） |
| 同步整流器 | 是 |
| 电压 - 输入（最小值） | 2.3V |
| 封装/外壳 | 6-XFBGA，CSPBGA |
| 电压 - 输出（最小值/固定） | 1V |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 正 |
| 频率 - 开关 | 3.6MHz |
| 输出类型 | 固定 |
| 电压 - 输入（最大值） | 5.5V |
| 在线目录 | Buck (Step-Down) IC |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 输出数 | 1 |
| 供应商器件封装 | 6-UCSP35L1（1.30x0.90） |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Nom | 3.6V |
| Output Voltage-Nom | 1V |
| Input Voltage-Max | 5.5V |
| Input Voltage-Min | 2.3V |
| Output Current-Max | 1.9A |
| Surface Mount | YES |
| Switcher Configuration | BUCK |
| Switching Frequency-Max | 4MHz |
| Additional Feature | ALSOOPERATESINPFMCONTROLTECHNIQUE |
| Analog IC - Other Type | SWITCHINGREGULATOR |
| Control Technique | PULSEWIDTHMODULATION |
| Number of Functions | 1 |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B6 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 6 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | VFBGA |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 400µm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Width | 900µm |
| Length | 1.3mm |
| Seated Height-Max | 400µm |
| Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
| Package Description | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | ROHMSemiconductor |
| 生命周期 | Active |
| 标称输入电压 | 3.6V |
| 标称输出电压 | 1V |
| 最大输入电压 | 5.5V |
| 最小输入电压 | 2.3V |
| 最大输出电流 | 1.9A |
| 表面贴装 | YES |
| 切换器配置 | BUCK |
| 最大切换频率 | 4MHz |
| 其他特性 | ALSOOPERATESINPFMCONTROLTECHNIQUE |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SWITCHINGREGULATOR |
| 控制技术 | PULSEWIDTHMODULATION |
| 功能数量 | 1 |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B6 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 400µm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 900µm |
| 长度 | 1.3mm |
| 座面最大高度 | 400µm |
| 包装说明 | VFBGA, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 拓扑结构 | 同步降压 (降压) |
| 针脚数 | 6Pins |
| 输出电压标称值 | 1V |
| 工作温度最高值 | 85°C |
| 输出电流 | 1A |
| 产品范围 | - |
| IC 外壳 / 封装 | UCSP |
| 输入电压最小值 | 2.3V |
| 输入电压最大值 | 5.5V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87252 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
