在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BU94702AKV-E2 | ROHM/罗姆 | 0 | 0 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：6-10工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 80-VQFP |
| 封装/外壳 | 80-LQFP |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | BU94702 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 生命周期 | Active |
| 封装代码 | LFQFP |
| 商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-PQFP-G80 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 80 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK,LOWPROFILE,FINEPITCH |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 12mm |
| 长度 | 12mm |
| 座面最大高度 | 1.6mm |
| 包装说明 | LFQFP, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC14D | NEXPERIA | 35258 | 0.402210 |
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 30035 | 0.925980 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 17541 | 1.264125 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 1247 | 0.869860 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |
